如往年一样，美国商务部工业和安全局（BIS）已于2025年3月18日至20日在美国华盛顿特区举办了线下的出口管制政策更新会议。本届年会内容包括主题演讲、全体会议、分组会议、圆桌论坛。会议议程涵盖了由 BIS 领导层和相关代表参加的全体会议、法规更新、近期出口执法调查案例剖析、针对特定议题的合规指导，以及来自信息与通信技术与服务办公室的专题报告。

以下是结合年会内容的我们的初步观察，为相关企业提供一些参考。

一、半导体出口管制

1.2024年至今BIS对于半导体新规概览

BIS在年会中用单独的一个讲座，介绍了对于半导体出口管制的政策更新。特别重点介绍了2024年至今，BIS出台的如下四个法规：

(1)   Implementation of Additional Export Controls: Certain Advanced Computing Items; Supercomputer and Semiconductor End Use; Updates and Corrections; and Export Controls on Semiconductor Manufacturing Items; Corrections and Clarifications (C&C Rule)（实施额外的出口管制：某些高级计算项目;超级计算机和半导体最终用途;更新和更正;以及半导体制造项目的出口管制;更正和澄清）（C&C规则）

见锦天城历史解读 [1] ：

l  【下篇】半导体设备制造企业关注：2024年4月4日美国BIS修订半导体制造设备规则

l  万字逐条解读【上篇】：2024年4月4日美国BIS修订先进计算集成电路、超算、半导体制造设备规则

(2)   Commerce Control List Additions and Revisions; Implementation of Controls on Advanced Technologies Consistent with Controls Implemented by International Parties (Quantum & Semiconductor Rule- Q&S Rule)（商业管制清单的添加和修订;实施与国际合作伙伴实施的控制措施一致的先进技术管制措施）（Q&S规则）

见锦天城历史解读 ：

l  逐条解读2024年9月6日美方针对量子计算、半导体制造和其他先进技术相关的管制措施新规

(3)   Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items (FN5 Rule)（外国制造的直接产品规则添加，以及对高级计算和半导体制造项目的管制措施的改进）（脚注5新规）

见锦天城历史解读 ：

l  逐条审视：美国针对先进计算物项、超级计算机及半导体制造设备的出口管制新规（2024年12月2日EAR修订详解）

l  2025年1月BIS对于该新规中部分条款进行了修订，修订版的相关条款解读见：25年1月美国强化对先进计算集成电路尽职调查，特朗普2.0时代对中国半导体管制的走向如何？中国半导体企业如何应对？

(4)   Implementation of Additional Due Diligence Measures for Advanced Computing Integrated Circuits; Amendments and Clarifications; and Extension of Comment Period（对先进计算集成电路实施额外的尽职调查措施;修订和澄清;以及延长意见征询期）（FDD规则）

见锦天城历史解读 ：

l  25年1月美国强化对先进计算集成电路尽职调查，特朗普2.0时代对中国半导体管制的走向如何？中国半导体企业如何应对？ 

2.C&C规则

在C&C规则下，BIS提到了：EAR第740.8条“通知的先进计算（NAC）”（Notified Advanced Computering（NAC））；灰色地带芯片（Gray Zone Chips）的许可证审查政策；EAR第744.23(a)(4)条项下新的最终用途/最终用户管控措施，以防止半导体制造设备的本地化生产；从半导体制造设备（SME）许可要求中的括号例外中删除了极紫外（EUV）掩模基板（3B001.j）和EUV掩模制作设备（3B991.b.2）；澄清了BIS对公众评论中第45、46、47和49项主题的回应。

3.Q&S规则

在Q&S规则项下，BIS在年会中重点提到了如下ECCN：

l  3B903 Scanning Electron Microscope (SEM) equipment designed for imaging semiconductor devices or integrated circuits. (用于半导体器件或集成电路成像的扫描电子显微镜（SEM）设备。)

l  3C907 Epitaxial materials consisting of a “substrate” having at least one epitaxially grown layer and containing other specified materials. (外延材料，包括具有至少一层外延生长层的“衬底”，并含有其他特定材料。)

l  3C908 Fluorides, hydrides, chlorides, of silicon or germanium, containing other specified materials. (含有特定材料的硅或锗的氟化物、氢化物或氯化物。)

l  3C090 Silicon, silicon oxides, germanium or germanium oxides, containing any other specified materials. (含有特定材料的硅、硅氧化物、锗或锗氧化物。)

此外，BIS还重点提及了EAR第742.4(a)(5)(ii)（即：EAR第742.4条“国家安全”项下的视同出口与视同再出口的例外）以及第742.6(a)(10)(ii)（即：EAR第742.6条“地区稳定”项下视同出口与视同再出口的例外），并进一步解释了第736条第一补充案中的第6号通用命令。该等规定体现了BIS通过EAR对于不同技术（例如GAAFET和量子技术）的管控要求，以及分别针对视同出口/再出口的不同对象的详细规定。如下的“祖父条款”主要宽松处理现有员工的技术访问权，但同时对未来可能发生的技术转移（如新员工或现有员工访问其他敏感技术）施加了进一步限制。

具体而言，BIS在本次年会中，总结性了解释如下要点：

 l      EAR第742.4(a)(5)(ii)(A)和第742.6(a)(10)(ii)(A)是祖父条款——包括了所有现有在职员工——授权视同出口或视同再出口除了GAAFET 3E905之外的所有技术和软件去大部分目的地（除D:1 和 D:5国家外，包括中国在内）。

 l      EAR第742.4(a)(5)(ii)(B)和第742.6(a)(10)(ii)(B)：视同出口或视同再出口的有限豁免——适用未来的情况，例如，雇佣新的员工或者现有员工首次获得其他受管制技术的权限。

 l      第6号通用命令（有关GAAFET及量子技术，见EAR第736章节第1补充文件），

n  (f)(1)：授权实际出口、再出口或转让 GAAFET 技术（3E905）到 EAR 中定义的A:5 与A:6 国家。

n  (f)(2)：对在D:1 和 D:5国家的外国现有员工实施祖父条款，授权视同出口或视同再出口 GAAFET 技术（3E905）。

n  (f)(2)：对在D:1 和 D:5国家的外国现有员工，授权视同出口或视同再出口量子技术或相关软件（即：3D901（适用于 ECCN 3A901.b、3B904 中量子物项的“软件”）、3E901（适用于 3A901、3A904、3B904、3C907、3C908、3C909 中量子物项的“技术”）、4D906 或 4E906 中量子物项的“技术”）。

4.FN5规则（脚注5新规）

FN5规则，又称：实体清单-脚注5新规，是BIS在半导体讲座中的重点内容之一，重点总结了FN5规则的如下要点：

l  增加了对24种新型工具的管控，同时对现有的类别3出口管制分类号（ECCNs）进行了修订

l  两项新的外国直接产品规则（Foreign Direct Product Rules, FDP）及相关的最小比例规则（de minimis rules）。具体而言，出台了“FN5外国直接产品规则 (FDP)”，针对与关注半导体厂相关的产品；以及“SME外国直接产品规则 (FDP)”，针对中国澳门和D:5国家（包括引入“包含（contains）”概念的管控）

l  增加对“高频宽存储器（HBM）”的出口管控措施

l  新增对DRAM的集成电路参数的要求

l  实施与国家安全（National Security）和区域稳定（Regional Stability）相关的管制

l  发布新的国家清单，见EAR第742部分的补充附表4

l  EAR 第740.25条：高频宽存储器（HBM）许可例外 [AES C71]

l  EAR第740.26条：受限制造“设施”（Restricted Fabrication Facility, RFF）许可例外 [AES C72]

l  临时通用许可（TGL）的修订[AES C65]

l  八个新的红旗警告（Red Flags）

l  新增软件密钥的管制措施

在FN5规则项下新增的八个红旗警告中，BIS这次重点解释了第22、26和27号警示信号，具体包括：

l  第22号红旗警告：如果外国政府要求某项物品的出口需要许可证，而最终用户的性质引发了有关出口商、再出口商或转让方是否会获得该物品许可证的疑问，则存在红旗警告。

l  第26号红旗警告：如果涉及出口、从国外出口、再出口或转让的外国制造的物品属于“FN5外国直接产品规则 (FDP)”或“SME外国直接产品规则 (FDP)”中描述的第3B类别（Category 3B ECCN）物品，且至少包含一个集成电路（IC），那么存在红旗警告——该外国制造的物品可能符合实体清单中FDP规则的产品范围。

l  第27号红旗警告：标识出一种情况，其中最终用户是与一个从事“生产”“先进计算集成电路”的“设施”相关联的另一个“设施”。BIS特别强调，除非通过“咨询意见”（Advisory Opinion）解决该红旗警告，否则在EAR第744.23条规定下，这两栋建筑将被视为一个单一的“设施”。因此，从中可以模拟出一个场景：假设美国公司C计划向中国半导体工厂D出口一批晶圆制造设备，但经过调查发现工厂D的一个附属工厂E最近参与了生产先进计算集成电路。根据第27号红旗警告，EAR第744.23条规定可以将这两个工厂视为一个整体“设施”。因此，即使工厂D本身没有直接从事受限活动，也可能因其与工厂E的关系触发管控。公司C需要向商务部申请咨询意见（Advisory Opinion）来解决这一红旗警告，否则可能无法继续交易。

由于BIS在“FN5外国直接产品规则 (FDP)”项下引入“包含（contains）”概念的管控，为了方便理解，BIS用下表进行了解释： 

FN5 FDP 规则	产品范围				目的地/最终用户/最终用途的“知晓”
	投入—— 受EAR管制的软件或技术，用来制造外国生产的产品 或者	投入—— 美国原产软件或技术，用来（“直接产品”）制造一个工厂或工厂主要部件（并且这个工厂或工厂的主要部件是生产这个外国生产的产品，或，这个外国生产的产品被包含(contain)在外国生产的产品中）	产出—— 外国生产的 产品 包括任何3B类的半导体制造设备，该设备包含（contain）了工厂或工厂的主要部分制造的产品
Footnote 5 734.9(e)(3)	3D001 (对于 3B 商品), 3D901(对于 3B903), 3D991 (对于3B991 和3B992), 3D993, 3D994, 3E001 (对于 3B 商品), 3E901 (对于 3B903), 3E991 (对于 3B991 和 3B992), 3E993, 或3E994	3D001（针对3B商品）、3D901、3D991（针对3B991和3B992）、3D992、3D993、3D994、3E001（针对3B商品）、3E901（针对3B903）、3E991（针对3B991和3B992）、3E992、3E993或3E994	3B001（除3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、g、h、k至n、p.2、p.4、r外）、3B002（除3B002.c外）、3B903、3B991（除 3B991.b.2.a至3B991.b.2.b外）、3B992、3B993或3B994	如果“知晓”： 1. 外国生产的产品将被纳入由实体清单-脚注5实体，或位于中国澳门“设施”或国家组 D：5 中地区的实体（且该实体“生产”逻辑或 DRAM“先进节点集成电路），生产、购买或订购的任何“零件”、“组件”或“设备”中；或者 2. 实体清单-脚注5实体，或位于中国澳门“设施”或国家组 D：5 中地区的实体（且该实体“生产”逻辑或 DRAM“先进节点集成电路”），是涉及任何外国制造产品的交易的一方（例如，作为“买方”、“中间收货人”、“最终收货人”或“最终用户”）。

 有关“FN5外国直接产品规则 (FDP)”项下的许可证要求，BIS用了如下一览表进行了解释： 

实体总部位于的地区	从Supp.4国家再出口或出口	从A5国家（非Supp.4国家）再出口或出口	从A5国家再出口或出口	在一国以内转让（D:5/中国澳门）
Supp 4	No BlS license required for ECCNs in Lists 1-3	ž List 1 ECCNs- D:5/Macaus ž List 2 ECCNS- FN5	ž List 1 ECCNs- D:5/Macau ž List 2 ECCNS -FN5	ž List 1 ECCNs-All end users ž List 2 ECCNS-FNS
Non-Supp.4  (且非D:5/Macau)	No BlS license required for ECCNs in Lists 1-3	ž List 1 ECCNs- D:5/Macaus ž List 2 ECCNS- FN5	ž List 1 ECCNs- D:5/Macau ž List 3 ECCNS-FN5	ž List 1 ECCNs-All end-users ž List 3 ECCNS-FN5
D:5/Macau	ž List 1 – D:5/ Macau ž List 3 – FN5	ž List 1 ECCNs- D:5/Macaus ž List 3 ECCNS- FN5	ž List 1 ECCNs- D:5/Macau ž List 3 ECCNS-FN5	ž List 1 ECCNs-All end-users ž List 3 ECCNS-FN5

 上表中的ECCN清单：

l  List 1: ECCN 3B001.a.4,c, d, f1,f5, f6, k to n, p.2,p.4,r 38002.c

l  List 2: ECCN 3B993

l  List 3: ECCN 3B001 (除List 1 and 3B001.g and .h), 38002 (除38002.c,38611,38903,38991 (除 3B991.b.2.a and38991.62 61 38992,38993 38994

EAR第742条附录4（Supp 4）地区名单：澳大利亚、奥地利、比利时、保加利亚、加拿大、克罗地亚、捷克共和国、丹麦、爱沙尼亚、芬兰、法国、德国、希腊、匈牙利、冰岛、爱尔兰、意大利、日本、拉脱维亚、立陶宛、卢森堡、荷兰、新西兰、挪威、波兰、葡萄牙、罗马尼亚、斯洛伐克、斯洛文尼亚、西班牙、瑞典、瑞士、英国。

最后，BIS也额外解释了EAR中新增的“逻辑芯片或DRAM先进节点集成电路 (Advanced ICs)：不适用De minimis规则”，尤其是与“FN5外国直接产品规则 (FDP)”交叉适用的情况。具体而言，根据EAR第734.4(a)(9)条的规定，对于涉及“FN5外国直接产品规则 (FDP)”的管制物项，若一个物项符合CCL（商业管制清单）中类别3B类的ECCN（不包括 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、k 至 n、p.2、p.4、r 或 3B002.c）的技术参数，且包含美国原产的集成电路（属于CCL中的第3类、4类或5类ECCN），且最终目的地为如下，则不适用De minimis规则：

l  实体清单（Entity List）被附有脚注5，或者

l  至位于中国澳门或国家组D:5指定目的地的最终用户“设施”，并且已知（“knowledge”）该商品将用于“生产”逻辑芯片或DRAM的“先进节点集成电路”。

5.FDD规则

FDD规则是近期2025年1月BIS最新出台的规则。BIS在这次涉及半导体的演讲中，用了近一半的时间进一步解读了这次的规则。

在FDD规则项下，BIS新增3A090.a的注释1，以明确针对前端制造公司或OSAT公司先进计算集成电路的规则。在这次演讲中，BIS从如下四个角度解释了3A090.a的注释1：

l  该规则适用于谁？前端半导体制造公司或OSAT公司

l  该规则什么时候适用？从国外出口、再出口、转让“适用先进逻辑集成电路”

l  该规则做什么？推定芯片是3A090.a，且适用3A090.a的许可证要求

l  如何推翻该推定？三种方式。

推翻推定3A090.a的三种方式：

1、如果“适用先进逻辑集成电路”的设计者是经过批准或授权的集成电路设计公司（即：EAR第740部分附录6或被授权，又称“白名单”），那么来自该批准或授权的集成电路设计公司提供的数据表或其他关于“总处理性能”和“性能密度”的证明文件，表明该集成电路不属于3A090.a所规定的范围，这将推翻“前端制造商”或“OSAT”公司关于该集成电路属于ECCN 3A090.a范围的推定。

2、如果集成电路芯片由“前端制造商”在中国澳门以外或者D:5国家以外的目的地进行封装。BIS在演讲中提到的这点和FDD新规原文略有差异，FDD新规原文与现时有效的CCL中均规定，除了目的地要求外，还要求“前端制造商”作出有关芯片性能的声明。

3、如果集成电路芯片是由“白名单”里（EAR第740部分附录7）的OSAT公司完成封装，且，并且符合以下任一声明条件：

(a) 最终封装集成电路（IC）的“聚合近似晶体管数量”低于300亿个晶体管；或者

(b) 最终封装集成电路（IC）不包含高带宽内存，并且“聚合近似晶体管数量”符合以下条件：(i) 针对在2027年完成的任何出口、再出口或国内转让，晶体管数量低于350亿个；或者(ii) 针对在2029年或之后完成的任何出口、再出口或国内转让，晶体管数量低于400亿个。

BIS也特别提到了EAR第743.9项下的前端制造公司的报告义务。BIS要求：“前端制造公司”为任何授权的集成电路设计方生产3A090.a的集成电路或根据3A090注释1推定为ECCN 3A090.a的集成电路，必须按照EAR规定向BIS提交季度报告，其中包括最终用户的“了解您的客户”（KYC）审查表（包含在第743部分补充2中）。

6.DRAM与HBM

BIS梳理了2022年至今从“半间距”（half pitch）的定义转向高带宽内存（HBM）关注要点及对DRAM描述的发展过程变化，见如下，该路线图体现了DRAM的定义逐步脱离了芯片自身“半间距”的定义，更多地向高性能需求（例如HBM）倾斜。

2022年10月	2023年10月	2024年12月
DRAM具有以下特征： 使用18纳米或更小“生产”技术节点的半间距（half pitch）	DRAM具有以下特征： 使用18纳米或更小“生产”技术节点的半间距（half pitch） …上述技术参数曾在International Roadmap for Devices and Systems（IRDS）中发布。	DRAM具有如下特性： (i)       小于0.0019平方微米的存储单元面积；或 (ii)     大于每平方毫米0.288千兆比特（gigabits）的存储密度。

BIS同时也展示如下表格，说明了从2024年至2025年，BIS对DRAM的定义对存储单元面积从0.0019 μm²放宽至0.0026 μm²，存储密度从0.288 Gb/mm²下调至0.2 Gb/mm²，针对中国调整了管控力度，以更精准地管控最新技术（例如HBM3），降低对较为成熟技术（如HBM2）的限制。 

	存储单元面积（μm²）：	存储密度（Gb/mm²）：	最佳HBM 芯片生产：
FN5规则（2024年12月）	0.0019	0.288	HBM3（对产品通过3A090.c出口至中国施加出口管制）
FDD规则（2025年1月）	0.0026	0.20	HBM2（在特定最终用途下允许出口至中国）

最后，BIS强调了最新DRAM的定义（即在FDD规则项下修订后的定义），如下，该最新定义（尤其是增加了（iii））将会对在原DRAM定义下不受影响的DRAM制造厂施加最终用途和“美国人”的从业限制：

l  DRAM具有如下特性：

(i) 小于0.0026平方微米的存储单元面积；或

(ii) 大于每平方毫米0.20千兆比特（gigabits）的存储密度；或者

(iii) 单片晶粒拥有超过3000个硅通孔（TSV）。

二、伊朗制裁与出口管制

尽管美国经济制裁由美国财政部OFAC监管，但BIS在圆桌论坛及演讲中也多次提到了对伊朗施加最大压力的制裁措施，BIS提及，OFAC负责执行对伊朗的大多数贸易制裁；然而，虽然对于OFAC授权的交易，出口商无需单独向BIS申请许可，但是在有限的情况下，出口可能需要同时获得BIS和OFAC的许可。

BIS对以下事项的实施附加的许可要求并签发许可证，包括了涉及伊朗方的被视同出口（Deemed Exports）和再出口（Reexports），以及被列入实体清单（Entity List）的伊朗相关方的交易。

此外，BIS管控几乎所有《商业管制清单》（CCL）所列物项以及特定53个HTS代码标识的物项从境外的出口和由外国人从事的再出口行为。这些物项是伊朗依赖于建设无人机（UAV）和导弹体系，但无法自主生产的产品。此类管控包括：向伊朗或涉及伊朗政府的外国生产物项，这些物项是使用某些来源于美国的软件、技术和生产设备制造的。

总之，2025年起，笔者已经看到美国相关政府部门从不同角度与侧面对伊朗开展了愈加严格的制裁与出口管制的趋势。

三、基于最终用户与最终用途管制的Catch-All管制释义

BIS另进行了一场专题讨论会，探讨EAR第744部分中关于最终用户与最终用途的管控（不包括半导体的出口管制，相关内容已单独分析，见本文第一部分）。该“基于最终用户与最终用途管制”讨论涵盖了以下领域：核、海事核推进、导弹与UAV、生物与化学武器、军事和情报相关最终用途管控、“美国人”相关管控。主要讨论内容包括：相关物项的许可需求，明确了对于某些物项出口或再出口需要获得许可，以及实体清单及未经证实清单在管控措施中的重要地位。最后，BIS强调了尽职调查的重要性，强调出口商和相关方在交易前必须进行全面的尽职调查。

1.什么时候Catch-All管制适用？

根据EAR第736.2(b)(5)条“普遍禁令5”：

l  出口商/再出口商/转让方“知晓”（knowledge）：如果出口商、再出口商或转让方掌握到某项物项将被用于受限的最终用途或交付给受限的最终用户，则“全控条款”（Catch-All管制）可能适用。

l  出口商/再出口商/转让方“收到BIS通知”（is informed）：如果BIS明确通知出口商、再出口商或转让方某项物品涉及受限的最终用途或受限的最终用户，相关管控将适用。这些通知可能包括：具体通知：例如，通过“被告知信”（“is informed” letter）方式直接通知。或者，公开公告：例如，实体清单或未经证实清单上的公开信息。

有关核、海事核推进、导弹与UAV、生物与化学武器的最终用途管制，因大部分企业不涉及，故本文不再展开。在军事与军事情报最终用途/最终用户管制项下，BIS提到了军事最终用户清单（MEU清单）的适用情况，在此也不再赘述，相关可见EAR第744.21、744.22、734.9(g)条。

2.“美国人”（U.S. persons）管制（不包括半导体从业限制）

值得一提的是，BIS在军事与军事情报最终用途/最终用户管制部分，特别解释了“美国人”（U.S. persons）管制。如EAR定义的那样，BIS提道“美国人”包括：

l  美国公民/永久居民或受保护人士，无论其身处何地；

l  位于美国境内的任何个人，无论国籍如何；

l  任何美国企业实体，包括其海外分支机构。

进一步，BIS再次解释了，禁止美国人“支持”以下活动：

l  核爆炸活动：全球范围内（不包括不受744.2条款控制的国家）。

l  导弹相关活动：在D:4国家或古巴。

l  化学/生物武器活动：全球范围内。

l  化学武器前体的整个工厂：全球范围内（不包括A:3国家）。

l  在白俄罗斯、缅甸、柬埔寨、古巴、中国、朝鲜、伊朗、俄罗斯、叙利亚、委内瑞拉的军事情报最终用途/用户

l  此外，BIS同时释明了“支持”的定义，包括：

l  如促成（brokering）或协助销售（facilitating sales）不受EAR管制的来源于外国的物品（不受EAR约束）。

l  提供咨询服务等活动。

此外，BIS也在本次会议中提到了可能出台的新的“美国人”管制措施，针对涉及外国军事、情报和安全服务的“美国人”活动进行管控。

总之，绝大部分美国人不会涉及上述提到的涉军活动，故而本文不再就此特别展开。但需要特别注意的是，本次BIS特别提到了什么是“支持”，若相关主体涉及EAR项下的“美国人”半导体从业限制，则可参考上述“支持”的定义。

3.BIS列实体清单的考量

BIS介绍了实体清单及最终用户审查委员会（ERC）的组成和职责。特别是，介绍了BIS列实体清单的考量，如下：

“……基于具体且可说明的事实，有合理理由相信，与交易相关的实体或参与方在一个具备高风险转移可能性的地址运营，该实体或参与方曾涉及、正在涉及或具有显著风险可能涉及不符合美国国家安全或外交政策利益的活动。”

具体包括：

l  支持从事恐怖行为的人员。

l  采取可能增强被美国国务卿指定为“多次支持国际恐怖活动”的国家的军事能力或其支持恐怖主义能力的行为。

l  以违背美国国家安全的方式转移、开发、服务、维修或生产常规武器。

l  阻碍由BIS进行或代表其进行的最终用途检查的实现。

l  从事可能违反EAR的行为。

因此，若相关企业涉及上述情况，则存在被BIS列入实体清单的可能。在实际操作中，也存在相关企业发生上述行为的出发点可能是无意的，或是出于风控漏洞的原因，在该情况下，若企业为了延续涉美供应链而希望防止自身被列实体清单，BIS也给了相关法律途径予以应对。具体可与笔者线下沟通。

4.未经核实清单（UVL）的被列影响、列入以及移除程序

BIS解释，当交易中涉及被列UVL的实体时：

l  向其出口、再出口或境内转让不得使用许可证豁免条款。在某些情况下，这意味着出口商需要获得单独验证的许可证。

l  出口商在向UVL上的实体出口之前，必须从该实体获得声明，包括提供以下信息以确认：物项的最终用途、最终用户及目的地；遵守出口与再出口管制的意图；配合最终用途检查的意图。

此外，BIS强调，所有向UVL实体的出口必须在AES系统中进行申报，无论交易金额大小。

有关列UVL的程序，如之前笔者解读，当最终用途检查因超出美国政府控制范围的原因无法完成时，BIS会将相关外国实体加入UVL。BIS在本次研讨会中提到了如下三种原因，包括：

l  无法找到或联系到该外国实体；

l  该外国实体无法提供与美国原产物项相关的具体处置信息，例如：无法出示物项供检查；无法提供转售文件；

l  东道国政府缺乏合作，导致检查无法进行。例如，长时间无法进行检查的情况下，该实体可能被列入实体清单。

有关从UVL移除，BIS在本次研讨会中解释，移除请求需提交至BIS执法分析办公室（Office of Enforcement Analysis），且移除请求文件应包含能够证实涉事方信誉（bona fides）的信息以及与其收到的任何美国物项处置相关的信息。移除决定最终将由BIS出口执法副助理部长（Deputy Assistant Secretary for Export Enforcement）作出。

四、总结

本次BIS年会，从BIS的“领导层”到“工作层”均有参加，并从不同侧面、深度与角度进行了政策介绍与研读。除本文上述所提及的内容外，本次年会中还包含其他一系列主题研讨，包括：BIS的出口管制违规调查与执法研讨，其中BIS通过执法案例解读的方式，以案释法，解释了BIS的执法行为以及处罚后果；BIS如何通过各种方式评估出口管制有效性，如何通过现代化信息技术系统更好管理风险与合规，企业如何做好出口管制的风险管理与合规等等。

对于中国，BIS在某个研讨会中也特别提到了中国的出口管制法、反外国制裁法、以及包括但不限于中国不可靠实体清单、反制清单等反制类清单，也提到了中国的数据安全法与国家安全法。在特朗普2.0初期，美国出口管制仍有政策不明朗之处，但在BIS年会中可感知到的是总体对华出口管制的基调如新闻媒体所述，没有太大变化；好在，若相关涉美企业，为了继续维持涉美供应链与相关海外业务市场，还是能够做好中美法律的平衡。笔者建议，相关企业仍需保持观察，并在2025年度起做好风险管理。

最后，本文仅为笔者的初步观察与总结，未包含相关洞察、风险管理与应对的最佳实践。若需了解更多详情，欢迎直接联系笔者。